晶體點(diǎn)陣造句

晶體點(diǎn)陣造句

• 1、其工作原理是，鈰氧化物加熱后可以把氧原子從其原有的晶體點(diǎn)陣上剝離出來。
• 2、對(duì)于不同金屬與合金小平面的方位與晶體點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的相互關(guān)系，用滑移型和層錯(cuò)能進(jìn)行描述。
• 3、本文應(yīng)用格林函數(shù)方法討論了晶體點(diǎn)陣的色散的二級(jí)電矩效應(yīng)，并且也考慮了非簡諧勢(shì)的效果。
• 4、若要發(fā)現(xiàn)這些細(xì)微改變，必須對(duì)晶體的點(diǎn)陣常數(shù)進(jìn)行精確測定。
• 5、晶體的點(diǎn)陣常數(shù)是晶體的重要參數(shù)，它的改變是極細(xì)微的。
• 6、正電子湮沒參數(shù)的周期性，與點(diǎn)陣畸變和晶體缺陷的周期性變化有關(guān)。
• 7、準(zhǔn)晶和晶體一樣具有規(guī)則點(diǎn)陣，當(dāng)時(shí)這些點(diǎn)陣經(jīng)過旋轉(zhuǎn)后并不是等價(jià)的。
• 8、本文報(bào)道了我國最近發(fā)現(xiàn)的硅硼鎂鋁礦晶胞參數(shù)、微雙晶結(jié)構(gòu)的電子衍射分析，晶體缺陷和礦物高分辨點(diǎn)陣象的透射電鏡觀測結(jié)果。
• 9、晶體生長形成結(jié)晶金屬原子最后到達(dá)點(diǎn)陣中的固定位置，晶體逐漸長大。
• 10、實(shí)驗(yàn)還觀察到經(jīng)過長期高溫退火的晶體中單個(gè)位錯(cuò)成規(guī)則的點(diǎn)陣分布，或排列成位錯(cuò)墻。
• 11、摻鎂濃度對(duì)晶體相匹配溫度、相匹配角、光學(xué)均勻性、點(diǎn)陣常數(shù)和密度的影響。
• 12、這種性質(zhì)起因于晶體結(jié)構(gòu)的不穩(wěn)定性，因?yàn)樵谶@類鈣鈦礦型的超點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)中存在很多氧空位。
• 13、假如在這個(gè)晶體上原先擁有著一個(gè)電荷，這些洞和電子將會(huì)向反方向移動(dòng)，進(jìn)入點(diǎn)陣并制造更多的洞。 【hao86.com好工具】
• 14、一種是通過鍵盤輸入數(shù)據(jù)后微型機(jī)進(jìn)行比較校核，這種程序適用于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)少，晶體點(diǎn)陣已知或物相數(shù)量少的情況；